上海新阳拟投资8.15亿元推进高端光刻胶研发、产业化
11月3日，上海新阳公布定增预案，公司拟定增募资不超过14.50亿元，其中8.15亿元拟投资于集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目，主要开发集成电路制造中ArF干法工艺使用的光刻胶和面向3D NAND台阶刻蚀的KrF厚膜光刻胶产品及配套试剂，力争于2023年前实现上述产品的产业化，打破国外垄断，填补国内空白，达到国际先进技术水平。
公告显示，公司自2017年开始筹备研发光刻胶项目，目前部分核心技术已取得突破，ArF干法光刻胶和KrF厚膜光刻胶均已形成实验室成果，正在进行中试及后续验证推进。
根据规划，项目预计KrF厚膜光刻胶2021年开始实现少量销售，2022年可实现量产，预计ArF（干式）光刻胶项目在2022年可实现少量销售，2023年开始量产，预计当年各项产品销售收入合计可达近2亿元。
该项目研发及产业化成功后，上海新阳将掌握包括光刻胶主要原料纯化工艺、产品配方、生产工艺和应用工艺技术在内的、具有完整知识产权的ArF干法光刻胶和KrF厚膜光刻胶的规模化生产技术，可实现两大类光刻胶产品及配套试剂的量产供货，并预计将取得20以上发明专利。
据悉，上海新阳光刻胶项目已制定产品路线图。该公司购买了三台光刻机，目前已有一台到厂运行，为ASML 1400型号的光刻机，该光刻机最高可以覆盖到55nm。根据公司光刻胶项目进度的需要，今年会加大对光刻胶项目的投入。目前，其光刻胶项目已完成实验室研发阶段，开始中试准备。
宁波南大光电国内首条ArF光刻胶生产线投产
无独有偶，就在前不久，宁波经济技术开发区传来消息，宁波南大光电材料有限公司的首条ArF光刻胶生产正式投产。按照计划，该项目总投资6亿元，项目完全达产后，预计实现约10亿元的年销售额，年利税预计约2亿元。目前，该公司研制出的ArF(193nm)光刻胶样品正在供客户测试。
2020年4月16日，ASML型号为XT 1900的193nm ArFi光刻机正式搬入宁波南大光电有限公司，这台光刻机最高可以做到10nm。
南大光电光刻胶项目在2018年就开始启动。南大光电于2018年12月公告，称由其作为牵头单位承担的国家“02专项”ArF光刻胶产品的开发与产业化项目，已经国家科技部批准立项。该项目总投资额为6.56亿元。项目拟通过3年的建设、投产及实现销售，达到年产25吨193nm（ArF干式和浸没式）光刻胶产品的生产规模，产品满足集成电路行业需求标准。同时建成先进光刻胶分析测试中心和高分辨率光刻胶研发中心。
到了2019年12月，南大光电又对ArF光刻胶产品的开发与产业化项目实施主体的全资子公司宁波南大光电进行增资2.6亿元，并引进宁波金帆、天津南晟及许从应对其合计投资8000万元。
南大光电还称，ArF（193nm）光刻胶产品开发技术突破难度大、工艺要求高，且实现稳定量产周期较长，后续是否能取得下游客户的订单，能否大规模进入市场仍存在较多的不确定性。
中国半导体制造用光刻胶发展情况
g/i线 | KrF | ArF | ArFi | EUV | |
苏州瑞红 | 量产 | 量产 | 研发 | ||
南大光电 | 验证 | 验证 | |||
科华微 | 量产 | 量产 | 研发 | 研发 | 研发 |
上海新阳 | 研发 | 研发 |
除上海新阳、南大光电之外，国内还在进行半导体制造用光刻胶研发或生产的企业有苏州瑞红、科华微、潍坊星泰克等。
科华微有两个miniFab，有分辨率达到0.11um的ASML PAS5500/850扫描式曝光机、Nikon步进式曝光机、TEL ACT8涂胶显影一体机和Hitachi S9220 CDSEM等主流设备。
苏州瑞红承担并完成了国家02重大专项“i线光刻胶产品开发及产业化项目，i线光刻胶已向国内知名的半导体厂商供货，KrF光刻胶完成中试，达到了0.25-0.13um的技术要求，建成了中试示范线。
目前，国内90-14nm半导体制程的高端半导体芯片制造所用的ArF光刻胶100%需要进口，其中超过90%为日本制造，ArF高端光刻胶产品在国内一直是空白。到目前为止，欧美及日本等国家仍对中国禁止输入ArF光刻胶技术。
而在下游行业3D NAND的光刻技术发展中，KrF光刻技术占主要地位，但目前该种类的光刻胶多为日韩、欧美等国家提供，代表现阶段及未来5年内处于主流地位的3D NAND制造用的厚膜光刻胶仍难觅国内光刻胶供应商踪影。因此，中国想要掌握ArF和KrF厚膜等高端光刻胶技术，国产化替代势在必行。
