科友半导体长期致力于碳化硅长晶装备研制和工艺技术研发，有丰富的实践经验，八英寸电阻炉已在高端制造领域得到高度认可并被广泛应用。俄罗斯N公司在晶体缺陷密度控制有着丰富的研究经验，在相关领域发表高水平文章及期刊百余篇。

通过与俄罗斯N公司的合作，科友半导体将研发获得“无微管，低位错”完美籽晶，应用品质优异的籽晶进行晶体生长，会进一步大幅降低八英寸碳化硅晶体内部的微管、位错等缺陷密度，从而提高晶体生长的质量和良率，并推动碳化硅长晶炉体及工艺技术的优化与升级。

双方将长期友好合作，发挥各方的技术优势，共同推进八英寸碳化硅晶体生长良率提升以及晶体缺陷降低。本次签约仪式的圆满完成，标志着科友半导体与俄罗斯N合作进入了崭新的阶段。

据悉，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司成立于2018年5月，企业坐落于哈尔滨市新区，是一家专注于第三代半导体装备研发、衬底制作、器件设计、科研成果转化的国家级高新技术企业，研发覆盖半导体装备研制、长晶工艺、衬底加工等多个领域，形成自主知识产权，已累计授权专利80余项，实现先进技术自主可控。科友半导体在哈尔滨新区打造产、学、研一体化的第三代半导体产学研聚集区，实现碳化硅材料端从原材料提纯-装备制造-晶体生长-衬底加工-外延晶圆的材料端全产业链闭合，致力成为第三代半导体关键材料和高端装备主要供应商。