相比于第一代和第二代半导体材料，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、大功率及抗辐射器件，可广泛应用在高压、高频、高温以及高可靠性等领域，包括射频通信、雷达、卫星、电源管理、汽车电子、工业电力电子等。
在第三代半导体材料中，目前发展较为成熟的是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），这两种材料是当下规模化商用最主要的选择。
——80亿元的新微第三代半导体项目签约上海自贸区
6月29日，在2020年中国（上海）自贸区临港新片区半导体产业发展高峰论坛上，上海临港经济发展集团有限公司副总裁翁恺宁表示，临港新片区芯片制造项目总投资超1600亿元，新片区将以建设“东方芯港”为契机，构建全品类、全产业链的国家集成电路综合产业基地。
目前，在临港新片区芯片制造工厂领域，芯片制造项目总投资超1600亿元，达到1667亿元。其中，总投资359亿元的积塔半导体已经试生产，总投资150亿元的格科微CMOS（互补金属氧化物半导体）工厂二季度开工。
总投资350亿元的图宏内存芯片项目，总投资80亿元的新微半导体第三代化合物半导体制造平台项目，总投资10亿元的国科微固态硬盘项目已经签约。另外，总投资700亿元的中芯半导体7纳米工艺工厂、总投资18亿元的闻泰安世先进封测平台项目即将落地。
在集成电路设备和材料领域，新昇半导体大硅片二期即将上马，中微蚀刻机、盛美半导体清洗设备、理想万里晖PECVD项目、华润微光掩膜、山东天岳碳化硅材料等项目已经落地。
——三安光电160亿拟加码第三代半导体
6月16日，三安光电发布公告称，公司拟在长沙高新技术产业开发区成立子公司，投资建设碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，投资总额160亿元。公司表示，将在两年内完成一期项目建设并实现投产，四年内完成二期项目建设并实现投产，六年内实现达产。
据介绍，三安光电第三代半导体产业园项目用地面积约1000亩，将包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。
三安光电与长沙高新技术产业开发区管委会于6月15日签署《项目投资建设合同》。具体开发建设产品内容方面，三安光电表示，主要研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiCMOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET，不过最终以甲方认可的乙方项目实施主体可研报告为准。
三安光电表示，第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求，现处于发展阶段。本次投资项目符合国家产业政策规划，符合公司产业发展方向和发展战略，有利于提升公司行业地位及核心竞争力。
根据国盛证券统计，2019年，三安集成砷化镓出货客户累计超过90家；氮化镓产品重要客户实现批量生产，产能爬坡；电力电子客户累计超过60家；光通讯向高附加值产品突破；滤波器产品有望在2020年实现销售。数据显示，大基金一期持有三安光电股份4.61亿股，约占公司总股本的11.30%。
——29亿元！第三代化合物半导体项目落户上海
6月19日，上海市金山区与中国科技金融产业联盟线上签约仪式举行，华通芯电第三代化合物半导体项目正式落户金山。
仪式上，上海新金山工业投资发展有限公司与北京华通芯电科技有限公司就华通芯电第三代化合物半导体项目，上海金山科技创业投资有限公司与北京广大汇通工程技术研究院就汇通科创投资专项基金分别签订了合作协议。
据悉，该项目总投资29亿元，固定资产投资22.7亿元，计划用地50亩，将通过第三方代建的模式，在上海金山购置土地并建设厂房和洁净车间，项目分为两阶段实施。其中第一阶段计划投资6.5亿元，建设月产7000片GaAs（砷化镓）芯片生产项目﹔第二阶段计划投资22.5亿人民币，建设月产3000片GaN（氮化镓）射频芯片和20000片功率半导体芯片生产项目，其产品将广泛用于5G基站、雷达、微波等工业领域。
——华大第三代半导体材料项目签约杭州湾新区
2019年12月，宁波杭州湾新区与中国电子信息产业集团有限公司全资子公司——华大半导体有限公司完成宽禁带半导体材料项目签约，为“名城名湾”建设再添“芯”动能。
宁波杭州湾新区负责人指出，该项目系浙江省首个第三代半导体材料项目，项目总投资10.5亿元，计划年产8万片4英寸～6英寸碳化硅衬底及外延片、碳化硅基氮化镓外延片，产品可广泛应用于5G通信、新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。
华大宽禁带半导体材料项目专注半导体制造过程的前端工序——半导体材料，而且还是属于时下发展大热门的第三代半导体材料。第三代半导体材料即以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，已成为半导体技术研究前沿和竞争焦点，是国家战略性新兴产业。该项目的签约对宁波杭州湾新区抢占下一代信息技术制高点具有较大发展意义。宽禁带半导体材料项目的“落子”，蕴含着宁波杭州湾新区完善集成电路全产业链，抢抓半导体材料技术迭代发展机遇的决心。
——华为投资第三代半导体材料公司
天眼查显示，华为旗下的哈勃科技投资有限公司，投资了山东天岳先进材料科技有限公司，持股10%。据悉，山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。
山东天岳公司官网显示，该公司成立2011年12月，是全球第四家碳化硅衬底材料量产的企业，同时具备了导电型和高纯半绝缘两种工艺，尺寸覆盖2~6英寸。2016年，山东天岳“宽禁带功率半导体产业链项目”被国家发展改革委纳入《国家集成电路“十三五”重大生产力布局》项目。
此外，山东天岳是国家工信部主管的“中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟”理事长单位，建有“碳化硅半导体材料研发技术”国家地方联合工程研究中心、国家博士后科研工作站和2个省级研发平台，在海外设有4个研发中心，拥有60余人研发团队，先后承担20余项国家、省部级课题。
此前，不少国际公司都在碳化硅领域进行投资。例如，英飞凌以1.39亿美元收购了初创企业Siltectra，进一步进军碳化硅市场。另外，X-Fab、三菱、意法半导体等企业也宣布将开发更多的碳化硅功率器件。但从差距上看，我国在碳化硅领域还没有形成完整的产业，国内市场上大部分碳化硅功率器件依赖进口，形成国际大厂垄断局面。
在碳化硅材料方面，国内仅有少数几家从事碳化硅衬底材料和外延材料的研发工作。在碳化硅功率器件方面，虽然清华大学、中国科学院等都有此类器件的课题研究，但主要是理论研究及实验室的研究成果。不过，国内产业正在努力赶超外国碳化硅产业。在产业链方面包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节近期也取得了新的进展。
第三代半导体技术、材料、设备、市场论坛将在第三季度召开。开始进入演讲征集阶段，业内同仁如果有内容精彩的技术或市场报告，欢迎自荐或推荐，并与主办方亚化咨询联系。
